Оборудование Участок получения GeCl4 для оптического волокна: Специально собранная базовая двухступенчатая ректификационная установка из боросиликатного стекла марки QVF. Установка дистилляции кастомизированная из боросиликатного стекла марки QVF. Установка термохлорирования Финишная двухступенчатая ректификационная установка из боросиликатного стекла марки QVF.
Участок химико-механической полировки расположен в чистом помещении класса ISO 5 (class 100), оснащён высокоточным оборудованием и предназначен для проведения односторонней химико-механической полировки (ХМП) пластин из германия.Технология обработки позволяет получить подложки качества EPI-Ready, пригодные для последующего процесса эпитаксии. В результате ХМП достигается очень высокое качество поверхности подложек (шероховатость RMS<0.5 nm) и обеспечиваются заданные геометрические требования пластин. Сохранность обработанной поверхности достигается за
Возможно изготовление заготовок для плоско-выпуклых, плоско-вогнутых, двояковыпуклых, двояковогнутых, выпукло-вогнутых линз, асферических линз, куполов и гипер-полусфер. Обрабатываемые материалы: Германий Кремний Оптические стекла
Компания обладает оборудованием и экспертизой в области выращивания монокристаллического германия методом Чохральского. Оборудование: Crystal Growing System EKZ 2700 – 4 EKZ CGS-Lab Оборудование позволяет выращивать монокристаллы германия разной ориентации с заданными электрофизическими свойствами (тип проводимости, удельное электрическое сопротивление) в широком диапазоне диаметров. Процесс выращивания кристалла Снятие готового кристалла из печи выращивания Отделение выращивания Общий вид отделения выращивания/Пульт управления EKZ 2700 Нами
Удельное сопротивление гарантированно превышает 47 Ом*см по всей длине при 20 ± 0,5 °C при измерении двухзондовым методом (ASTM F48-93) или методом термоэлектрического зонда (ASTM F42-93-A) на нижней поверхности слитка.
